Indium phosphide passivation using thin layers of cadmium sulfide

The electrical properties of the silicon dioxide/n-type (100) InP interface were significantly improved by thin interlayers of chemical bath deposited CdS. The CdS layer and CdS/InP interface were investigated with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and photoluminescence (PL). XPS data showed re...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1995-07, Vol.67 (4), p.527-529
Hauptverfasser:	Vaccaro, K., Dauplaise, H. M., Davis, A., Spaziani, S. M., Lorenzo, J. P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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