Wide band gap MgZnSSe grown on (001) GaAs by molecular beam epitaxy

We report molecular beam epitaxial study of wide band gap (≳2.9 eV at room temperature) MgZnSSe on (001) oriented GaAs using ZnS, Mg, Zn, and Se sources. Although the growth is under group II rich condition, the compositions of S and Mg in the MgyZn1−ySxSe1−x are linear functions of flux ratios, PZn...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1995-06, Vol.66 (25), p.3462-3464
Hauptverfasser:	Wu, B. J., DePuydt, J. M., Haugen, G. M., Höfler, G. E., Haase, M. A., Cheng, H., Guha, S., Qiu, J., Kuo, L. H., Salamanca-Riba, L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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