Evolution of surface topography during metalorganic vapor phase epitaxy of InP/InGaAs/InP quantum well heterostructures

The evolution of surface topography during epitaxial growth of lattice matched InP/InGaAs/InP on (100) InP substrate is observed using in situ elastic light scattering supported by ex situ atomic force microscopy. A topographically smooth growth transition from InP to InGaAs is observed. However, th...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1994-10, Vol.65 (15), p.1949-1951
Hauptverfasser:	Epler, J. E., Söchtig, J., Sigg, H. C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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