Reactive ion etching of high-aspect-ratio 100 nm linewidth features in tungsten

The subtractive patterning of fine-linewidth (sub-250-nm) tungsten absorbers for x-ray masks requires the ability to etch features with high aspect ratios and vertical sidewalls. In this letter, a reactive-ion-etching process which meets these requirements is described. The etch gases used are SF6 a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1994-04, Vol.64 (16), p.2172-2174
Hauptverfasser:	Chu, W., Foster, K. W., Shirey, L. M., Rhee, K. W., Kosakowski, J., Isaacson, I. P., McCarthy, D., Eddy, C. R., Dobisz, E. A., Marrian, C. R. K., Peckerar, M. C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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