Ellipsometric study of Si0.5Ge0.5/Si strained-layer superlattices
We present an ellipsometric study of two Si0.5Ge0.5/Si strained-layer superlattices grown by MBE at low temperature (500 °C), and compare our results with x-ray diffraction (XRD) estimates. Excellent agreement is obtained between target values, XRD, and ellipsometry when one of two available SixGe1−...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 1993-04, Vol.62 (14), p.1626-1628 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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