Boron diffusion in Co74Ti26 amorphous alloy
Boron diffusion in implanted Co74Ti26 amorphous alloy has been studied by secondary ion mass spectrometry (SIMS). Auger electron spectroscopy depth profiling, Rutherford backscattering spectroscopy, and x-ray diffraction have been used to control the crystallization and the interaction with the Si s...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 1992-02, Vol.60 (6), p.701-703 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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