The conduction band alignment of HfO 2 caused by oxygen vacancies and its effects on the gate leakage current in MOS structures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	European physical journal. Applied physics 2007-10, Vol.40 (1), p.59-63
Hauptverfasser:	Mao, L. F., Wang, Z. O., Wang, J. Y., Zhu, C. Y.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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