Longitudinal bandgap modulated broadband (>150 nm) InGaAs/GaAs MQWs superluminescent diodes by selective area MOVPE growth

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2009-05, Vol.45 (10), p.521-522
Hauptverfasser:	MORISHIMA, Y, YAGUCHI, J, MUKAI, A, OHGOH, T, ASANO, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Optoelectronic devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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