Evaluation of GaN HEMT degradation by means of pulsed I-V, leakage and DLTS measurements

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2009-04, Vol.45 (8), p.426-427
Hauptverfasser:	CHINI, A, ESPOSTO, M, MENEGHESSO, G, ZANONI, E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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