Evaluation of GaN HEMT degradation by means of pulsed I-V, leakage and DLTS measurements

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Electronics letters 2009-04, Vol.45 (8), p.426-427
Hauptverfasser: CHINI, A, ESPOSTO, M, MENEGHESSO, G, ZANONI, E
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-5194
1350-911X
DOI:10.1049/el.2009.0533