Stability of AlGaN/GaN high-power HEMTs under DC and RF stresses

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2004-09, Vol.40 (19), p.1229-1230
Hauptverfasser:	Zhang, A.P., Kaminsky, E.B., Allen, A.F., Hedrick, J.W., Vertiatchikh, A., Eastman, L.F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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