Morphology and carrier mobility of high-B-content B x Al 1− x N ternary alloys from an ab initio global search
The excellent properties of III-nitrides and their alloys have led to significant applications in optoelectronic devices. Boron, the lightest IIIA group element, makes it possible to extend the flexibility of III-nitride alloys. However, both B x Al 1− x N and B x Ga 1− x N ternary alloys suffer fro...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Nanoscale 2022-08, Vol.14 (31), p.11335-11342 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!