Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO 2 -based memory devices

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices Materials for optical and electronic devices, 2014, Vol.2 (17), p.3204-3211
Hauptverfasser:	Zazpe, Raúl, Ungureanu, Mariana, Golmar, Federico, Stoliar, Pablo, Llopis, Roger, Casanova, Fèlix, Pickup, David F., Rogero, Celia, Hueso, Luis E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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