Atomic Layer Deposition of Indium Tin Oxide Thin Films Using Nonhalogenated Precursors

This article describes a new atomic layer deposition (ALD) method for preparing indium tin oxide (ITO) thin films using nonhalogenated precursors. The indium oxide (In2O3) was deposited using alternating exposures to cyclopentadienyl indium (InCp) and ozone, and the tin oxide (SnO2) used alternating...

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Veröffentlicht in:	J. Phys. Chem. C 2008-02, Vol.112 (6), p.1938-1945
Hauptverfasser:	Elam, Jeffrey W, Baker, David A, Martinson, Alex B. F, Pellin, Michael J, Hupp, Joseph T
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ASPECT RATIO ATOMIC FORCE MICROSCOPY DEPOSITION ELLIPSOMETRY FLUORESCENCE HYDROGEN PEROXIDE INDIUM INDIUM OXIDES INORGANIC, ORGANIC, PHYSICAL AND ANALYTICAL CHEMISTRY MEMBRANES OZONE SCANNING ELECTRON MICROSCOPY SPECTROPHOTOMETRY THIN FILMS TIN OXIDES X-RAY DIFFRACTION
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