Aqueous-Phase Oxidation of Epitaxial Graphene on the Silicon Face of SiC(0001)

To explore the chemical and electronic states of oxidized epitaxial graphene (EG) grown on the Si face of SiC(0001), we employ the Hummers oxidizing agents (H2SO4 + NaNO3 + KMnO4) under different reaction conditions that oxidize the graphene layer. The resulting material is characterized with scanni...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2014-01, Vol.118 (2), p.1014-1020
Hauptverfasser:	Hossain, Md. Zakir, Razak, Maisarah B. A, Yoshimoto, Shinya, Mukai, Kozo, Koitaya, Takanori, Yoshinobu, Jun, Sone, Hayato, Hosaka, Sumio, Hersam, Mark C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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