Photoinduced Modification of Single-Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride
Fluorescent defects recently observed under ambient conditions in hexagonal boron nitride (h-BN) promise to open novel opportunities for the implementation of on-chip photonic devices that rely on identical photons from single emitters. Here we report on the room-temperature photoluminescence dynami...
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Veröffentlicht in: | ACS photonics 2016-12, Vol.3 (12), p.2490-2496 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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