Threshold Voltage Modulation in a Transistor with a Two-Dimensional Electron Gas Channel at the Interface between Al 2 O 3 and Sub-5 nm ZnO Films

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2021-07, Vol.3 (7), p.3247-3255
Hauptverfasser:	Lee, Hyun Jae, Moon, Taehwan, Kang, Sukin, Kim, Woohyun, Hwang, Cheol Seong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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