Atomic Layer Deposition of WO 3 -Doped In 2 O 3 for Reliable and Scalable BEOL-Compatible Transistors

Tungsten oxide (WO ) doped indium oxide (IWO) field-effect transistors (FET), synthesized using atomic layer deposition (ALD) for three-dimensional integration and back-end-of-line (BEOL) compatibility, are demonstrated. Low-concentration (1∼4 W atom %) WO -doping in In O films is achieved by adjust...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nano letters 2024-05, Vol.24 (19), p.5737-5745
Hauptverfasser:	Yoo, Chanyoung, Hartanto, Jonathan, Saini, Balreen, Tsai, Wilman, Thampy, Vivek, Niavol, Somayeh Saadat, Meng, Andrew C, McIntyre, Paul C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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