Thermal Atomic Layer Deposition of Polycrystalline Gallium Nitride

We report the successful preparation of polycrystalline gallium nitride (poly-GaN) layers by thermal atomic layer deposition (ALD) at low temperatures (375–425 °C) from trimethylgallium (TMG) and ammonia (NH3) precursors. The growth per cycle (GPC) is found to be strongly dependent on the NH3 pulse...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2019-09, Vol.123 (37), p.23214-23225
Hauptverfasser:	Banerjee, Sourish, Aarnink, Antonius A. I, Gravesteijn, Dirk J, Kovalgin, Alexey Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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