The Graphene-Based Transistor with Dual Modifications through Electrostatic and Strain Effects

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2023-11, Vol.127 (47), p.23122-23127
Hauptverfasser:	Ma, Xiaoqiao, He, Bin, Guo, Jinrui, Han, Jiale, Gao, Wenqi, Wang, Jiaqing, Han, Yue, Fang, Hong, Lü, Weiming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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