Metastable Rhombohedral Phase Transition of Semiconducting Indium Oxide Controlled by Thermal Atomic Layer Deposition

Indium oxide (In2O3) thin films were deposited via thermal atomic layer deposition (ALD) to exploit their potential as semiconductors in thin-film transistors (TFTs), using a new liquid type indium complex precursor (In(CH3)3[CH3OCH2CH2NHtBu]). In2O3 films were deposited successfully at lower tempe...

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Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Chemistry of materials 2020-09, Vol.32 (17), p.7397-7403
Hauptverfasser:	Lee, Jung-Hoon, Sheng, Jiazhen, An, Hyesung, Hong, TaeHyun, Kim, Hyun You, Lee, HyunKyung, Seok, Jang Hyeon, Park, Jung Woo, Lim, Jun Hyung, Park, Jin-Seong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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