High-Efficiency Doping Outcomes in Homoepitaxial β-Ga 2 O 3 Films via Pulsed Si Doping with MOCVD

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Crystal growth & design 2024-10, Vol.24 (19), p.8101-8111
Hauptverfasser:	Wang, Yao, Feng, Qian, Wu, Wenkai, Liu, Yuhong, Zhang, Yachao, Zhang, Jincheng, Hao, Yue
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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