Raman activity, piezoelectric response, and carrier mobility in two-dimensional Janus TiGe Z 3 H ( Z = N, P, As) semiconductors: A first-principles prediction

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials science in semiconductor processing 2025-03, Vol.187, p.109102, Article 109102
Hauptverfasser:	Kartamyshev, A.I., Hieu, Nguyen N., Poklonski, N.A., Hieu, Nguyen V., Vu, Tuan V., Lavrentyev, A.A., Phuc, Huynh V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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