High mobility and productivity of flexible In2O3 thin-film transistors on polyimide substrates via atmospheric pressure spatial atomic layer deposition
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Veröffentlicht in: | Applied surface science 2024-02, Vol.646, p.158950, Article 158950 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0169-4332 |
DOI: | 10.1016/j.apsusc.2023.158950 |