Electrical features in $$\hbox {AlGaN}/\hbox {GaN}$$ AlGaN / GaN high electron mobility transistors with recessed gate and undoped region in the barrier

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Pramāṇa 2019-04, Vol.92 (4), Article 56
Hauptverfasser:	Razavi, S M, Zahiri, S H, Karimi, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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