Molecular beam epitaxy of GaN on a substrate of MoS 2 layered compound

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics. A, Materials science & processing Materials science & processing, 1999-07, Vol.69 (1), p.89-92
Hauptverfasser:	Yamada, A., Ho, K.P., Maruyama, T., Akimoto, K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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