Thin-layer liquid phase epitaxy of InGaPAs heterostructures in short intervals (< 100 ms): Non-diffusion-limited crystal growth

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1981-01, Vol.10 (1), p.255-285
Hauptverfasser:	Rezek, E. A., Vojak, B. A., Chin, R., Holonyak, N., Sammann, E. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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