Selective area growth of GaAs with semiconductor-metal-semiconductor structures using pulsed-mode operation of MOCVD

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1990-10, Vol.19 (10), p.1141-1144
Hauptverfasser:	Hong, Chang-Hee, Kim, Chang-Tae, Kwon, Young-Se
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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