Low‐temperature atomic layer deposition of MoO x for silicon heterojunction solar cells

The preparation of high‐quality molybdenum oxide (MoO x ) is demonstrated by plasma‐enhanced atomic layer deposition (ALD) at substrate temperatures down to 50 °C. The films are amorphous, slightly substoichiometric with respect to MoO 3 , and free of other elements apart from hydrogen (&11 at%)...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters 2015-07, Vol.9 (7), p.393-396
Hauptverfasser:	Macco, B., Vos, M. F. J., Thissen, N. F. W., Bol, A. A., Kessels, W. M. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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