Admittance of MIS structures based on graded‐gap MBE HgCdTe with Al 2 O 3 insulator

The paper presents the results of studies of the admittance of MIS structures based on heteroepitaxial MBE n ( p )‐Hg 0.78 Cd 0.22 Te with insulator coating SiO 2 /Si 3 N 4 and Al 2 O 3 in the test signal frequency range 10 kHz‐1 MHz at temperatures ranging from 8 to 220 K. The main parameters of MI...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2016-07, Vol.13 (7-9), p.647-650
Hauptverfasser:	Voitsekhovskii, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Vasil`ev, Vladimir V., Varavin, Vasiliy S., Dvoretsky, Sergey A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Sidorov, Georgiy Y.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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