Investigation of modified p-n junctions in CSG solar cells

In this paper a method for studying p‐n junctions is described. Different electron and ion beam charactersiation methods are introduced to determine the p‐n‐junction position using two different examples from Crystalline Silicon on Glass (CSG) thin film technology. In a first example lateral and cro...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. C 2011-04, Vol.8 (4), p.1418-1422
Hauptverfasser: Lausch, Dominik, Werner, Martina, Naumann, Volker, Schneider, Jens, Hagendorf, Christian
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!