Determination of the surface potential of GaN:Si

The surface potential of GaN:Si is determined for Si doping from 2.4 × 1017 cm–3 to 2.3 × 1019 cm–3 in layers grown by low pressure metal‐organic vapor‐phase epitaxy. We used the sheet resistance of the samples with different thicknesses measured by eddy current, a nondestructive, contactless method...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2009-06, Vol.6 (S2), p.S937-S939
Hauptverfasser:	Köhler, Klaus, Maier, Markus, Kirste, Lutz, Wiegert, Joachim, Menner, Hanspeter
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	73.20.At 73.61.Ey 81.05.Ea 81.15.Kz 82.80.Ms
Online-Zugang:	Volltext
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