Experimental Investigations of Optical Nonlinearities in Semiconductor-Doped Glass Waveguides

Both, thermal and electronic optical nonlinearities are studied in semiconductor‐doped glass (SDG) waveguides which are fabricated in commercially available sharp‐cut filters by Cs+–K+ ion exchange. The relaxation time in photodarkened substrates is measured to be 30 ps. By means of a prism coupling...

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Veröffentlicht in:physica status solidi (b) 1988-12, Vol.150 (2), p.873-877
Hauptverfasser: Dannberg, P., Possner, T., Bräuer, A., Bartuch, U.
Format: Artikel
Sprache:eng
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creator Dannberg, P.
Possner, T.
Bräuer, A.
Bartuch, U.
description Both, thermal and electronic optical nonlinearities are studied in semiconductor‐doped glass (SDG) waveguides which are fabricated in commercially available sharp‐cut filters by Cs+–K+ ion exchange. The relaxation time in photodarkened substrates is measured to be 30 ps. By means of a prism coupling set‐up the saturation value of the nonlinear index change is determined. Furthermore, a high stability dual‐beam interferometer is presented for the measurement of both, thermal and electronic nonlinear refractive index n2 in planar waveguides. Conclusions about the application of SDG to opto‐optical switching are given. Thermische und elektronische optische Nichtlinearitäten in Wellenleitern, hergestellt durch Cs+–K+‐Ionenaustausch in halbleiterdotiertem Glas (kommerziell verfügbar als Steilkantenfilter) werden untersucht. Die Relaxationszeit in durch Laserbestrahlung gealterten Proben beträgt 30 ps. Mittels eines Prismenkopplers wird der Sättigungswert der lichtinduzierten Brechzahländerung bestimmt. Weiterhin wird ein hochstabiles 2‐Strahl‐Interferometer zur Messung thermischer und elektronischer nichtlinearer Brechzahländerungen in ebenen Wellenleitern vorgestellt. Schlußfolgerungen bezüglich einer Anwendung halbleiterdotierter Gläser in opto‐optischen Schaltern werden gezogen.
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The relaxation time in photodarkened substrates is measured to be 30 ps. By means of a prism coupling set‐up the saturation value of the nonlinear index change is determined. Furthermore, a high stability dual‐beam interferometer is presented for the measurement of both, thermal and electronic nonlinear refractive index n2 in planar waveguides. Conclusions about the application of SDG to opto‐optical switching are given. Thermische und elektronische optische Nichtlinearitäten in Wellenleitern, hergestellt durch Cs+–K+‐Ionenaustausch in halbleiterdotiertem Glas (kommerziell verfügbar als Steilkantenfilter) werden untersucht. Die Relaxationszeit in durch Laserbestrahlung gealterten Proben beträgt 30 ps. Mittels eines Prismenkopplers wird der Sättigungswert der lichtinduzierten Brechzahländerung bestimmt. Weiterhin wird ein hochstabiles 2‐Strahl‐Interferometer zur Messung thermischer und elektronischer nichtlinearer Brechzahländerungen in ebenen Wellenleitern vorgestellt. 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Thermische und elektronische optische Nichtlinearitäten in Wellenleitern, hergestellt durch Cs+–K+‐Ionenaustausch in halbleiterdotiertem Glas (kommerziell verfügbar als Steilkantenfilter) werden untersucht. Die Relaxationszeit in durch Laserbestrahlung gealterten Proben beträgt 30 ps. Mittels eines Prismenkopplers wird der Sättigungswert der lichtinduzierten Brechzahländerung bestimmt. Weiterhin wird ein hochstabiles 2‐Strahl‐Interferometer zur Messung thermischer und elektronischer nichtlinearer Brechzahländerungen in ebenen Wellenleitern vorgestellt. Schlußfolgerungen bezüglich einer Anwendung halbleiterdotierter Gläser in opto‐optischen Schaltern werden gezogen.</abstract><cop>Berlin</cop><pub>WILEY-VCH Verlag</pub><doi>10.1002/pssb.2221500281</doi><tpages>5</tpages></addata></record>
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