Free Carrier Dynamics and Energy Transfer to the Si Lattice during Pico and Nanosecond Nd Laser Pulse Irradiation

Transmission experiments of Nd: YAG laser pulse of 25 ps and 30 ns duration through 100 μm thick silicon single crystal allow the determination of the free carrier absorption cross section, σFC = 5 × 10−18 cm2, and of the Auger decay constant, γ3 = 8 × 10−31 cm6 s−1. These two parameters are used in...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. B. Basic research 1985-07, Vol.130 (1), p.225-233
Hauptverfasser: Baeri, P., Harith, M. A., Russo, G., Rimini, E., Giulietti, A., Vaselli, M.
Format: Artikel
Sprache:eng
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