Free Carrier Dynamics and Energy Transfer to the Si Lattice during Pico and Nanosecond Nd Laser Pulse Irradiation
Transmission experiments of Nd: YAG laser pulse of 25 ps and 30 ns duration through 100 μm thick silicon single crystal allow the determination of the free carrier absorption cross section, σFC = 5 × 10−18 cm2, and of the Auger decay constant, γ3 = 8 × 10−31 cm6 s−1. These two parameters are used in...
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. B. Basic research 1985-07, Vol.130 (1), p.225-233 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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