Behavior of Threading Dislocations from GaN Substrate to Epitaxial Layer

Threading dislocations (TDs) in the GaN substrate and homoepitaxial layer are nondestructively evaluated using X‐ray topography (XRT), Raman spectroscopy, and multiphoton photoluminescence (MPPL) imaging. When the XRT and Raman mapping images are compared, TDs in the GaN substrate are identified as...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	physica status solidi (b) 2020-04, Vol.257 (4), p.n/a
Hauptverfasser:	Inotsume, Sho, Kokubo, Nobuhiko, Yamada, Hisashi, Onda, Shoichi, Kojima, Jun, Ohara, Junji, Harada, Shunta, Tagawa, Miho, Ujihara, Toru
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	GaN multiphoton photoluminescence Raman spectroscopy threading dislocations X-ray topography
Online-Zugang:	Volltext
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