Permanent deactivation of boron-oxygen recombination centres in silicon: Permanent deactivation of B-O recombination centres in Si

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	physica status solidi (b) 2016-09, Vol.253 (9), p.1721-1728
Hauptverfasser:	Voronkov, Vladimir, Falster, Robert
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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