Emitter diffusion-induced stress effect on common-emitter current gain of silicon planar transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1979-09, Vol.55 (1), p.K89-K93
1. Verfasser: Stojadinović, N. D.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0031-8965
1521-396X
DOI:10.1002/pssa.2210550161