No‐Heating Deposition of Ferroelectric x %YO 1.5 –(100− x %)(Hf 1− y Zr y )O 2 Films

The no‐heating deposition of x %YO 1.5 –(100− x %)(Hf 1− y Zr y )O 2 ( x  = 0−0.09, y  = 0, 0.25, 0.50, and 1) is achieved using a radio‐frequency magnetron sputtering method. To investigate the crystal structure and ferroelectric properties, epitaxial films are grown on (111)‐oriented indium tin ox...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2023-07, Vol.220 (14)
Hauptverfasser:	Mimura, Takanori, Shimura, Reijiro, Tateyama, Akinori, Nakamura, Yoshiko, Shiraishi, Takahisa, Funakubo, Hiroshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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