Near‐Complete Elimination of Size‐Dependent Efficiency Decrease in GaN Micro‐Light‐Emitting Diodes

Herein, a successful elimination of the size‐dependent efficiency decrease in GaN micro‐light‐emitting diodes (micro‐LEDs) is achieved using damage‐free neutral beam etching (NBE). The NBE technique, which can obtain ultralow‐damage etching of GaN materials, is used in place of the conventional indu...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2019-11, Vol.216 (22), p.n/a
Hauptverfasser:	Zhu, Jun, Takahashi, Tokio, Ohori, Daisuke, Endo, Kazuhiko, Samukawa, Seiji, Shimizu, Mitsuaki, Wang, Xue-Lun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	efficiencies GaN micro-light-emitting diodes neutral beam etching
Online-Zugang:	Volltext
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