Study of Filament Resistive Switching in New Pt/Co 0.2 TiO 3.2 /ITO Devices for Application in Non‐Volatile Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2018-12, Vol.215 (24)
Hauptverfasser:	Góis, Meirielle M., Valença, Eduardo, Machado, Rogerio, Lopez, Elvis O., Mello, Alexandre, Rodrigues, Cleber L., Macêdo, Marcelo A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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