Self-assembled InGaAs tandem nanostructures consisting of a hole and pyramid on GaAs (311)A by droplet epitaxy

We report on the fabrication self‐assembled tandem (pyramidal‐ holed) InGaAs nanostructures on GaAs (311)A in comparison with the nanostructures on (100) surface. Under an identical growth condition, the fabricated nanostructures are characteristically dissimilar; ring‐shaped nanostructures on GaAs...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2010-02, Vol.207 (2), p.348-353
Hauptverfasser: Lee, J. H., Wang, Zh. M., Kim, E. S., Kim, N. Y., Park, S. H., Salamo, G. J.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!