Self-assembled InGaAs tandem nanostructures consisting of a hole and pyramid on GaAs (311)A by droplet epitaxy
We report on the fabrication self‐assembled tandem (pyramidal‐ holed) InGaAs nanostructures on GaAs (311)A in comparison with the nanostructures on (100) surface. Under an identical growth condition, the fabricated nanostructures are characteristically dissimilar; ring‐shaped nanostructures on GaAs...
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2010-02, Vol.207 (2), p.348-353 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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