Comparative study of CF 4  + O 2 and C 6 F 12 O + O 2 plasmas for reactive‐ion etching applications

This work represents a comparative study of gas‐phase parameters and reactive‐ion etching kinetics for Si and Si and SiO 2 in CF 4  + O 2 and C 6 F 12 O + O 2 plasmas. An interest to the C 6 F 12 O gas is because it combines the low global warming potential (low environmental impact) and weakly stud...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Plasma processes and polymers 2022-02, Vol.19 (2)
Hauptverfasser:	Lim, Nomin, Efremov, Alexander, Woo, Byungjun, Kwon, Kwang‐Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!