Design of an ultra-low-noise 1.75-GHz VCO using InGaP/GaAs HBT technology

An integrated voltage‐controlled oscillator (VCO) operating at 1.75 GHz is designed using the InGaP/GaAs HBT process. The proposed noise‐removal circuit and FR‐4 substrate structure in this paper show an improved characteristic of phase noise and a smaller VCO dimension, respectively. The frequency‐...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microwave and optical technology letters 2004-05, Vol.41 (3), p.196-198
Hauptverfasser:	Jeon, Sungwon, Lee, Sangseol
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	InGaP/GaAs HBT phase noise VCO
Online-Zugang:	Volltext
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