Crystallography and cathodoluminescence of ultra-long GaN nanowires

Ultra‐long GaN nanowires have been synthesized via a simple thermal evaporation process by heating mixed GaN and Ga2O3 powders in a conventional resistance furnace under ammonia gas at 1150 °C. The average length of GaN nanowires is estimated to be more than 100 μm after 30‐min growth, corresponding...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Crystal research and technology (1979) 2011-05, Vol.46 (5), p.511-516
Hauptverfasser:	Liu, B. Y., Wu, A. M., Qin, F. W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	cathodoluminescence GaN nanowires
Online-Zugang:	Volltext
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