Crystal Engineering of BiVO 4 for Photochemical Sensing of H 2 S Gas at Ultra‐low Concentration

We report a photochemical bismuth vanadate (BiVO 4 ) sensing material, which possesses a large proportion of (110) and (011) facets combined with the additional (111) facets, for the selective detection of ultra‐low concentration hydrogen sulfide (H 2 S) driven by visible light. Specifically, the ob...

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Veröffentlicht in:Angewandte Chemie 2023-12, Vol.135 (50)
Hauptverfasser: Zhao, Fei, Wang, Chuanzhe, Xiong, Rui, Dai, Yanfeng, Sa, Baisheng, Yang, Can, Xu, Gang, Wang, Xinchen
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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