Crystal Engineering of BiVO 4 for Photochemical Sensing of H 2 S Gas at Ultra‐low Concentration
We report a photochemical bismuth vanadate (BiVO 4 ) sensing material, which possesses a large proportion of (110) and (011) facets combined with the additional (111) facets, for the selective detection of ultra‐low concentration hydrogen sulfide (H 2 S) driven by visible light. Specifically, the ob...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Angewandte Chemie 2023-12, Vol.135 (50) |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!