Low‐Voltage Operation of Ring Oscillators Based on Room‐Temperature‐Deposited Amorphous Zinc‐Tin‐Oxide Channel MESFETs

Schottky diode FET logic (SDFL) ring oscillator circuits comprising metal‐semiconductor field‐effect transistors (MESFETs) based on amorphous zinc‐tin‐oxide (ZTO) n‐channels are presented. The ZTO channel layers are deposited entirely at room temperature by long‐throw magnetron sputtering. Best MESF...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Advanced electronic materials 2019-12, Vol.5 (12), p.n/a
Hauptverfasser:	Lahr, Oliver, Vogt, Sofie, Wenckstern, Holger, Grundmann, Marius
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	abundant ring oscillators Schottky diode FET logic transparent amorphous oxide semiconductors zinc‐tin‐oxide
Online-Zugang:	Volltext
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