Fluorine effects in n-p-n double-diffused polysilicon emitter bipolar transistors

We demonstrate that fluorine incorporation in the polysilicon emitter of n-p-n double-diffused bipolar transistors during BF/sub 2/ implantation at a dose of 1/spl times/10/sup 15/ cm/sup -2/ significantly alters the device electrical characteristics. In particular, tunneling emitter/base currents a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1996-09, Vol.17 (9), p.434-436, Article 434
Hauptverfasser:	Gravier, T., Kirtsch, J., d'Anterroches, C., Chantre, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Bipolar transistors Boron Electric variables Fabrication Implants Silicon Telecommunications Tunneling Voltage
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