A novel P-channel SOI LDMOS structure with non-depletion potential-clamped layer

A novel structure is proposed for doubling the vertical breakdown voltage of silicon-on-insulator(SOI) devices. In this new structure, the conventional buried oxide(BOX) in an SOI device is split into two sections: the source-section BOX and the drain-section BOX. A highly-doped Si layer, referred t...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2017 (1), p.470-474
1. Verfasser:	李威 郑直 汪志刚 李平 付晓君 何峥嵘 刘凡 杨丰 向凡 刘伦才
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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