Studies on the nucleation of MBE grown Ⅲ-nitride nanowires on Si

GaN and AlN nanowires（NWs） have attracted great interests for the fabrication of novel nano-sized devices. In this paper, the nucleation processes of GaN and AlN NWs grown on Si substrates by molecular beam epitaxy（MBE）are investigated. It is found that GaN NWs nucleated on in-situ formed Si3N4 full...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2017 (1), p.348-351
1. Verfasser:	鄂炎雄 郝智彪 余佳东 吴超 汪莱 熊兵 王健 韩彦军 孙长征 罗毅
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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