单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质（英文）

本文利用密度泛函理论,系统研究了五种单层GeSe晶型的结构、稳定性和电子结构特性,并着重分析了其结构和电子性质差异.研究结果表明,五种单层Ge Se晶型均表现出稳定的半导体特性.不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体.计算进一步提供了五种晶型结构的拉曼光谱和扫描隧道显微镜图像.带边排布分析表明β-GeSe单层材料适用于光催化分解水....

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Veröffentlicht in:	中国科学：材料科学（英文版） 2015 (12), p.929-935
1. Verfasser:	张胜利刘尚果黄世萍蔡波谢美秋渠莉华邹友生胡自玉余学超曾海波
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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Zusammenfassung:	本文利用密度泛函理论,系统研究了五种单层GeSe晶型的结构、稳定性和电子结构特性,并着重分析了其结构和电子性质差异.研究结果表明,五种单层Ge Se晶型均表现出稳定的半导体特性.不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体.计算进一步提供了五种晶型结构的拉曼光谱和扫描隧道显微镜图像.带边排布分析表明β-GeSe单层材料适用于光催化分解水.
ISSN:	2095-8226 2199-4501